RIEを「ただの削り工程」と思っていると、加工不良で納期を丸ごと失います。
リアクティブイオンエッチング（Reactive Ion Etching、略してRIE）は、反応性ガスをプラズマ化し、発生したイオンとラジカルの両方を使って基板表面を精密に削り取るドライエッチング技術の一種です。日本語では「反応性イオンエッチング」とも呼ばれ、半導体製造・MEMS・光学デバイスなど幅広い分野で現在の主力加工手法として定着しています。
エッチングにはウェットエッチングとドライエッチングの2大分類があります。ウェットエッチングはHF（フッ化水素酸）やリン酸系薬液に基板を浸けて化学的に溶解させる方式で、装置コストが安く一度に大量処理できる利点があります。しかしこの方法では液体が全方向へ浸透するため「等方性エッチング」となり、横方向にも同じ速さで溶け込んでしまいます。つまりウェットエッチングが得意なのは比較的ゆるやかな精度要求のケースで、1μm以下の微細パターンを垂直かつ高精度に維持したい用途では使えないのです。
RIEはその課題を解決するために生まれました。真空チャンバー内に反応性ガスを導入し、高周波電源（RF電源、通常13.56MHz帯）でプラズマを生成します。するとチャンバー内には「陽イオン」「電子」「ラジカル（中性活性粒子）」の3種類の粒子が発生します。基板は陰極側に置かれ、プラズマと基板の間に「自己バイアス電位（Vdc
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